Kaks -pinna, bifaciale või bifacial päikeserakud - huvitav teave päikesemoodulite kohta

Valdav enamus päikeseelemente on nüüd valmistatud ränist. Silicon on pooljuht ja sellisena on selle välimine elektronid energiavahemikus, mida nimetatakse valentsribaks, ja täidavad selle riba energiataseme täielikult. Selle valentsriba kohal on keelatud riba või energiatükk, milles elektroni ei saa eksisteerida, ja liiniriba asub kaugemal. See liiniriba on elektronidest peaaegu tühi, kuid see on koht, kus valentsriba elektronid majutatakse pärast seda, kui neid on stimuleerinud footonite imendumine. Nendel elektronidel on rohkem energiat kui pooljuhi tavalistel elektronidel. Siiani kirjeldatud Si elektrijuhtivus, mida nimetatakse sisemiseks räni, on äärmiselt madal. Kerge saastumine fosfori aatomitega põhjustab liiniribas täiendavaid elektrone, mis muudab räni N-koosseisu ja võtab vastu juhtivuse, mida saab mõjutada fosfori aatomite tiheduse muutmisega. Teise võimalusena võib saastumine boori või alumiiniumist aatomitega viia SI P-juhtimiseni ja sellel on juhtivusega, mida saab ka mõjutada. Need saasteatomid neelavad valentsusriba elektronid ja jätavad nii nimetatud “augud”, mis käituvad nagu virtuaalsed positiivsed laengud. SI päikeseelemendid on tavaliselt booriga, nii et need käituvad nagu p-tüüpi-kaela ja neil on kitsas (~ 0,5 mikromeeter) pindmine N-tüüpi vahemik. Nende kahe vahel moodustub nn PN-üleminek, milles luuakse elektriväli, elektronid ja augud, elektronid pinnale ja augud seestpoolt. Sel viisil genereeritakse fotovool, mis on tuletatud mõlemalt poolt metallkontaktidest. Valgus, mis kukub PN-i üleminekust eemale, ei jagune ja genereeritud elektron-augupaarid rekombineerivad lõpuks ja ei genereeriks fotovoogu. P- ja N -piirkondade rollid rakus saab vahetada, nagu siin selgitatakse.

Sellest lähtuvalt genereerib monofacial päikeseelement fotovoo ainult siis, kui ülemineku moodustumine on valgustatud.

Teisest küljest on bifaciaalne päikeseelement kujundatud nii, et lahter on aktiivne mõlemalt poolt ja genereerib fotovoogu, kui üks kahest küljest esi- või tagaosast on valgustatud.

Täiendav elektritootmise kasv: võrreldes P Päikeserakkudega, kipuvad N -päikeserakud tõhusust märkimisväärselt suurendama. Bifacial Päikeserakkudel on bifaciaalse tootmisvõimsuse ja kõrgema süsteemi efektiivsuse tõttu laiem rakendusperspektiiv ning need sobivad eriti lumerikaste piirkondade ja hajutatud genereerimissüsteemide, näiteks katuste, tarade ja helikindla seinte jaoks.

Lahtri tagaosa tõhusus võib saavutada rohkem kui 19 % ja intsidendi toetamist saab kasutada süsteemi tootmisvõimsuse parandamiseks, kusjuures ühiku piirkonnas on mahutavuse suurenemine kuni 10 % ~ 30 %.

Bifacial Cell -tehnoloogiaga klaasmoodulis jäädvustatakse valgus nii mooduli esiküljel kui ka tagaküljel. Valguse kasutamise suurendamine suurendab mooduli tõhusust. Aktiivmooduli tagakülje kaudu on võimalik saavutada kuni 360 WP kogu väljundi (290 WP ainult ees / kokku 320–360 WP).

Tõhususe suurenemine sõltub kiiritusolukorrast (atmosfäär ja taust).

Kõik ühest allikast, päikesemooduli lahendused, mis on spetsiaalselt suunatud teie fotogalvaanilisele süsteemile! Teie enda elektrienergia tootmise, refinantseerimise või vastuolus tulevikus.

Nõuandeid ja lahendusi leiate siit 👈🏻

Nõuanded ja planeerimine, sealhulgas mittesidumise kulude hinnang. Toome teid kokku fotogalvaaniliste tugevate partneritega.

Nõuandeid ja lahendusi leiate siit 👈🏻

Oleme kogu piirkonnas kogu Saksamaa riikides. Meil on usaldusväärseid partnereid, kes nõustavad teid ja rakendavad teie soove.

Võtke meiega ühendust 👈🏻