美国芯片价格便宜 90%?初创公司 Substrate 正在挑战芯片巨头 ASML(荷兰)和台积电(台湾)。
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发布日期:2025年11月3日 / 更新日期:2025年11月3日 – 作者:Konrad Wolfenstein
初创公司 Substrate 旨在利用新型 X 射线光刻技术革新芯片世界——向 ASML 和 TSMC 发起挑战:Substrate 能否改变半导体行业?
X射线光刻2.0:从实验室到大规模生产——X射线光刻技术是否再次成为现实?
在高科技领域,进步以纳米为单位衡量,半导体产业犹如一座固若金汤的堡垒。在这个全球秩序的顶端,耸立着两大无可争议的巨头:荷兰垄断企业ASML,它是尖端芯片制造所需价格高昂的EUV光刻机的唯一供应商;以及台湾代工巨头台积电,它主导着全球代工市场。这个高度集中的生态系统,建立在数十年的研发和数千亿美元的投资之上,迄今为止似乎坚不可摧。
但现在,一家名为Substrate的旧金山初创公司正在掀起波澜,其影响力可能撼动整个行业的根基。Substrate获得了包括彼得·蒂尔和美国中央情报局风险投资机构In-Q-Tel在内的知名投资者超过1亿美元的投资,准备改写游戏规则。他们承诺:一种复兴并重新构想的X射线光刻技术,不仅比ASML现有的EUV系统更强大,而且可以将每片芯片的成本大幅降低90%。
这项公告远不止是一项技术创新;它更是一份地缘政治和经济上的宣战宣言。它直击美国追求技术主权的核心,挑战着世界上最昂贵机器的商业模式,并承诺打破芯片制造领域重重的准入壁垒。然而,从前景光明的实验室演示到可靠的大规模生产,这条道路是由无数失败的革命的残骸铺就的。技术障碍巨大,业界的怀疑根深蒂固,而X射线光刻技术本身的历史就是一部失败的史诗。因此,关键问题是:我们是否正在见证一场真正颠覆性的变革的开端,它将重塑全球芯片格局?或者,这仅仅是一个资金雄厚的技术梦想在残酷的物理和经济现实面前破灭的似曾相识的场景?
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创新型X射线光刻技术有望推动全球权力格局转变
芯片和半导体制造技术是21世纪最重要的产业发展之一,目前正经历着一个意义非凡的转折点。一家位于旧金山的初创公司Substrate凭借其新型X射线光刻技术,在全球微芯片行业引起了广泛关注。该公司获得了包括彼得·蒂尔在内的知名投资者的支持,已筹集超过1亿美元的资金,并声称其开发出的技术可以替代荷兰垄断企业ASML极其昂贵的光刻系统以及台湾巨头台积电的制造能力。这项技术对整个半导体价值链、地缘政治力量结构以及行业内部经济平衡的潜在影响至关重要,值得进行深入的经济分析。
半导体光刻技术的经济学:垄断面临挑战
工业创新史反复表明,技术颠覆很少来自既有权力结构的中心,而是由外部力量发起的。
当前半导体行业的集中度极高。总部位于荷兰的ASML公司几乎垄断了整个尖端光刻系统市场,在极紫外光刻领域占据了90%至100%的市场份额。这些设备单价在2亿至4亿美元之间,是制造7纳米以下先进半导体的关键设备。ASML的毛利率始终超过50%,这表明这家事实上的垄断企业拥有巨大的定价权。2024年,该公司营收达283亿欧元,净利润为76亿欧元。预计2025年营收将增长约15%,毛利率约为52%。
EUV技术的研发历时三十余年,总耗资超过百亿美元,堪称一场马拉松。ASML之所以能够完成这项庞大的工程,全赖于与英特尔、三星和台积电的战略合作。这三家公司于2012年共同向ASML投资14亿欧元,参与了所谓的“火枪手计划”。首套商用EUV系统于2010年交付,但直到2019年,该技术才真正实现量产。与最初计划相比,市场推广延迟了近二十年,这充分体现了该技术所面临的巨大技术挑战。
与此同时,台湾台积电在全球晶圆代工市场占据主导地位,2025年第二季度市场份额高达70%以上。该公司2025年第三季度营收达302.4亿美元,并计划在2025年全年投入380亿至420亿美元资本。一座最先进的台积电下一代晶圆厂造价在150亿至200亿美元之间。这些数据表明,该行业的准入门槛极高。
X射线光刻技术如今以衬底作为替代方案,但它绝非一项新技术。早在20世纪70年代,人们就开始研究这项技术,并在80年代和90年代投入巨资进行研发。然而,技术挑战最终还是难以克服。根本问题包括:需要使用由黄金等昂贵材料制成的极其稳定的掩模;难以制造稳定的X射线源;以及二次电子散射的复杂性限制了分辨率。经济因素也发挥了作用:业界无法就通用标准达成一致,而且由于各公司利益分歧,投资也未能成功。
技术颠覆:是革命性的变革,还是历史失败的重演?
Substrate公司声称已解决这些历史遗留问题。该公司使用定制设计的粒子加速器,将电子加速到接近光速。这些电子穿过一系列磁体,在磁体的作用下发生振荡,产生波长小于4纳米的强X射线。该波长远短于ASML EUV技术的13.5纳米,理论上可以实现更高的分辨率。Substrate公司已公布实验室结果,显示其可制备出关键尺寸为12纳米、尖端间距为13纳米的结构,与现代EUV系统在2纳米工艺技术方面的能力相当。
Substrate公司的核心经济主张是,到本十年末,每片晶圆的成本将从目前的约10万美元降至约1万美元。这种90%的成本降低将从根本上改变半导体制造的经济格局。该公司认为,通过避免EUV工艺中通常所需的复杂多重曝光工艺,可以大幅减少生产步骤。
然而,业界的怀疑并非毫无道理,其根源在于严峻的技术和经济现实。在实验室中验证结构与实现稳定良率的大规模生产截然不同。台积电采用四纳米工艺的良率约为70%,而三星使用类似技术却仅能达到35%的良率。这些数据表明,工艺稳定性和缺陷最小化至关重要。即使是原子级的微小偏差也可能导致失败。
现代光刻技术中一个尤为关键的问题是随机效应,即曝光过程中的随机波动。在极紫外光刻技术中,这些效应已占总误差预算的一半以上,预计到2030年,每年将给行业造成超过100亿美元的收入损失。这些问题源于微结构的基本物理特性,其中光子数量、光刻胶分子分布和电子散射本质上都是随机的。X射线能否比ASML的极紫外光刻技术更好地克服这些挑战,目前仍是一个悬而未决的问题。
另一个根本问题是合适材料的供应。极紫外光刻技术需要开发全新的光刻胶,专门针对13.5纳米波长进行优化。日本公司,例如JSR、东京樱化工业株式会社、信越化学工业株式会社和富士胶片,控制着超过90%的极紫外光刻胶市场。这些材料基于含金属化合物,含有锡、铪或锆等元素,这些元素在极紫外波长下具有更高的吸收率。Substrate公司不仅需要开发自己的X射线兼容光刻胶,还需要建立这些材料的大规模生产。同样,用于X射线的高精度掩模和专用光学元件也需要大量供应——而目前尚不存在这样的供应链。
经济影响:谁赢谁输
X射线光刻技术的成功应用将对半导体行业产生深远的影响,并重塑整个价值链。
ASML正处于这场潜在颠覆的核心。该公司投入了四十余年时间打造其技术领先地位。仅EUV光刻技术的研发就耗费了数十年时间和数十亿美元。一个真正有竞争力的竞争对手不仅会削弱ASML的定价权,还可能迫使其重新思考整个投资战略。ASML目前正大力投资高数值孔径(NA)EUV系统,每台成本高达3.8亿美元,并承诺提供更高的分辨率。如果Substrate能够以十分之一的成本实现相当甚至更优的性能,这将从根本上挑战ASML的高数值孔径技术路线图。ASML的股东们(其估值超过3000亿美元)可能会因此做出重大调整。
对台积电而言,其影响喜忧参半。一方面,更便宜的光刻技术可以降低新建晶圆厂的资本成本。台积电目前每年在资本支出上花费380亿至420亿美元,其中很大一部分用于EUV光刻系统。一台低数值孔径的EUV光刻机造价约为2.35亿美元,而台积电每年都需要更多这样的设备。更便宜的替代方案可以提高利润率。另一方面,Substrate公司并不打算出售其系统,而是计划运营自己的晶圆厂。这将使Substrate成为台积电的直接竞争对手。历史表明,垂直整合模式在半导体行业很少成功。无晶圆厂设计公司与代工厂之间的专业化分工已被证明更为有效。Substrate不仅要克服技术开发的挑战,还要应对代工厂运营、客户关系和代工制造等截然不同的挑战。台积电在工艺优化、质量控制和客户服务方面拥有四十年的经验,这是一项巨大的竞争优势,难以复制。
对于英伟达、AMD、高通和博通等无晶圆厂芯片设计商而言,成功的基板技术有望开辟新的选择。这些公司目前几乎完全依赖台积电,其次是三星。仅英伟达一家,2024 年的营收就高达 1244 亿美元,主要来自人工智能处理器。制造能力的多元化将降低供应链风险,并有可能增强其与代工厂的谈判地位。然而,这些公司不会轻易转向未经验证的供应商,除非该供应商能够连续数年展现出稳定的质量和良率。由于每家制造商使用的工艺设计套件各不相同,因此在不同的代工厂之间切换芯片设计既复杂又昂贵。
英特尔和三星都是芯片设计和制造企业,并且越来越多地提供代工服务,但如今它们都面临着困境。英特尔的代工部门举步维艰,2023年营收189亿美元,亏损70亿美元。英特尔的18A工艺技术本应带来竞争优势,但其交付延迟和技术问题却臭名昭著。三星在先进制程节点上也面临着类似的良率问题。理论上,一种新的、成本更低的刻蚀技术可以帮助这两家公司,但两家公司都在EUV工艺上投入了巨资,不会轻易转型。
半导体价值链上的供应商也将受到影响。为ASML系统提供超精密反射镜的德国蔡司公司、提供高功率激光器的通快公司,以及提供其他制造设备的应用材料公司、科磊公司和拉姆研究公司,都已在极紫外光刻生态系统支持方面投入巨资。一项新技术需要新的供应链。日本光刻胶制造商要么必须开发与X射线兼容的材料,要么就会失去市场份额。
地缘政治层面:技术主权与经济安全
半导体行业深受地缘政治紧张局势的影响,而此次衬底技术的发布正值一个具有重要战略意义的时刻。
近年来,美国对中国实施了日益严格的出口管制,以限制其获取先进半导体技术。ASML被禁止向中国出售其最先进的极紫外光刻(EUV)系统。这项政策旨在限制中国在人工智能和军事应用领域的发展能力。与此同时,美国政府正通过《芯片产业转移法案》(CHIPS Act)大力投资,将半导体制造业迁回美国。该法案提供390亿美元的直接拨款和25%的投资税收抵免。
Substrate完美契合了这一战略议程。在美国研发和制造的光刻系统将减少对荷兰和台湾技术的依赖。彼得·蒂尔的参与绝非偶然。蒂尔曾多次强调美国技术自主的重要性。中央情报局的风险投资机构In-Q-Tel也是Substrate的投资方,这凸显了其国家安全层面的重要性。
然而,X射线光刻技术的历史表明,国家冠军未必总能成功。美国曾在20世纪80年代和90年代试图通过SEMATECH合作重夺半导体行业的领导地位,但最终以失败告终。ASML的突破并非源于国家产业政策,而是得益于其耐心细致的技术研发、精湛的供应链整合以及与客户的巧妙合作。问题在于,如果没有这些因素,政府支持能否取得成功。
面对西方出口限制,中国正大力投资国内半导体技术。“中国制造2025”计划优先考虑自主研发。如果Substrate技术取得成功,中国将寻求引进该技术或开发自己的替代技术。尽管良率较低、成本较高,但中国最大的晶圆代工厂中芯国际(SMIC)在不使用极紫外光刻(EUV)技术的七纳米工艺方面取得了进展,尽管面临诸多限制。
欧洲正处于一个复杂的境地。ASML是一家欧洲公司,但荷兰政府却面临着来自美国的压力,要求其限制出口。欧洲芯片法案承诺提供430亿欧元的补贴,以使欧洲半导体制造业的全球市场份额从10%翻一番至20%。而美国主导的光刻技术替代方案可能会进一步削弱欧洲的战略自主性。
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技术、资本、政治:究竟是什么在考验Substrate?
技术障碍:实验室研发与大规模生产之间还存在哪些障碍
在半导体行业,从令人印象深刻的实验室成果到商业化大规模生产的道路异常艰难,充满了无法预料的问题。
衬底技术面临的最大挑战在于尺寸缩放。实验室演示证明,原则上可以制造出相关尺寸范围内的结构。然而,商业光刻的要求远不止于此。一台ASML设备每小时大约可以曝光130到170片晶圆。套刻精度,即多层结构的精确对准,必须小于1纳米。整个晶圆的均匀性必须极高。缺陷密度必须低于每平方厘米一个缺陷。要同时满足所有这些要求,并且系统能够稳定运行数月,这无疑是一项意义非凡的工程成就。
Substrate公司使用的粒子加速器光源必须具有极高的稳定性。光束强度或位置的任何波动都会影响成像质量。ASML公司花费数年时间稳定其用于极紫外(EUV)的激光等离子体锡源。该光源每秒向真空容器中发射5万个微小的锡液滴,这些液滴在真空容器中被30千瓦的二氧化碳激光器击中两次,从而产生发射极紫外光的等离子体。这一复杂方案是多年迭代的结果。Substrate公司声称拥有更紧凑、更经济的解决方案,但由于缺乏多年的现场测试,这仍然只是推测。
X射线的光学系统与极紫外(EUV)或深紫外(DUV)的光学系统有着本质区别。X射线无法通过透镜聚焦,因为它会被大多数材料吸收。因此,必须使用特殊的掠入射镜。这些镜子的制造精度必须极其高。蔡司为ASML生产的镜子,即使按比例放大到德国的规模,其形状与理想形状的最大偏差也仅为十分之一毫米。然而,X射线光学系统是否能够达到如此高的精度,或者能否实现,目前尚不清楚。
用于X射线光刻的光刻胶材料目前尚无商业化供应。开发新型光刻胶体系通常需要数年时间,并且需要化学家、材料科学家和工艺工程师之间的密切合作。这些光刻胶必须具备高分辨率,同时还必须具有足够的抗蚀刻性,以便作为后续工艺步骤的掩模。它们必须具有低边缘粗糙度,并且不得引起任何不必要的副反应。该领域的日本市场领导者不会轻易为新的竞争对手效力。
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商业模式:垂直整合是 Segen 是祸
Substrate公司正在推行一项与现有行业截然不同的激进战略。该公司不打算向现有代工厂出售光刻系统,而是计划建设并运营自己的半导体制造工厂。
这种垂直整合与过去四十年的主流商业模式背道而驰。自张忠谋于1987年创立台积电并确立纯晶圆代工模式以来,芯片行业日益专业化。无晶圆厂设计公司专注于芯片架构和设计,晶圆代工厂专注于制造,而像ASML这样的设备供应商则专注于特定技术。这种专业化使得每个参与者都能在其各自领域成为世界一流。
Substrate认为,垂直整合可以降低协调成本,加快创新速度。特斯拉和SpaceX经常被视为垂直整合成功的典范。但半导体行业的情况有所不同。该行业资本密集度极高。一座现代化的晶圆厂造价高达150亿至200亿美元。台积电每年的资本支出超过400亿美元。Substrate迄今为止已融资1亿美元,估值超过10亿美元。要想具备竞争力,该公司需要投入目前金额的100倍。
此外,运营晶圆代工厂所需的技能与开发光刻技术截然不同。台积电拥有超过7万名员工,其中许多是高度专业化的工艺工程师。该公司在良率优化、缺陷分析和客户关系管理方面拥有超过40年的经验。每一项新的工艺节点都需要数千次的实验和迭代。学习曲线陡峭且成本高昂。
另一个问题是Substrate的客户是谁。像英伟达、AMD和高通这样的大型无晶圆厂公司与台积电有着长期紧密的合作关系。这些合作关系建立在多年的合作、联合开发的工艺设计套件以及彼此的信任之上。一家新的晶圆厂必须具备非凡的优势才能打破这些合作关系。当良率、可靠性和交货时间方面的风险尚不明朗时,仅仅降低成本是不够的。
英特尔多年来一直试图拓展其晶圆代工业务,但进展并不顺利。2024年第三季度,英特尔晶圆代工服务仅创造了800万美元的外部收入,亏损巨大。这表明,即使是像英特尔这样的老牌半导体巨头,想要打入晶圆代工市场也并非易事。如果选择在晶圆代工领域发展,一切都将从零开始。
时间范围:2028 年及以后
Substrate计划于2028年开始量产。这是一个极其雄心勃勃的时间表。从目前的实验室演示到商业化生产,大约需要三年时间,而且需要一切进展顺利。
作为对比:ASML 于 2006 年开始研发 EUV 的初始 alpha 原型,2010 年交付了首个预生产系统,直到 2019 年才实现大规模生产。从首次演示到量产,历时十三年,而且该公司在光刻领域已经拥有丰富的经验。
Substrate公司不仅需要在三年内将其光刻技术转化为量产产品,还需要建造晶圆厂、建立所有必要材料和设备的供应链、开发和优化工艺流程、获取客户以及取得必要的许可证。即使这项技术最终成功,这样的时间表也并不现实。
更现实的时间表是,从现在到大规模商业化生产还需要八到十二年。这意味着最早也要到2030年代中期,行业才会感受到其影响。届时,ASML将建立其高数值孔径EUV系统,台积电可能正在研发1纳米或更小的工艺,整个行业的发展方向可能已经使Substrate的方法过时。
未来可能出现的其他情景:究竟会发生什么?
Substrate 的发布引发了一些重要问题,但可能出现的情况从彻底失败到部分成功不等,这些成功会对行业产生微妙的影响,但不会彻底改变行业。
悲观的设想是,Substrate公司无法克服技术难题。X射线光刻技术的物理特性可能过于复杂,随机效应可能难以控制,或者资本成本可能过高。届时,该公司要么倒闭,要么只能在特定应用领域占据一席之地。历史上,大多数挑战现有技术的尝试都以失败告终。尼康和佳能都曾试图在EUV光刻技术竞赛中与ASML竞争,但最终都放弃了。
一种折衷方案是,Substrate 公司能够使这项技术部分实现,但无法达到承诺的成本或必要的可靠性。然后,该公司可以将这项技术授权给一家成熟的厂商。ASML 本身可能对评估 X 射线光刻技术作为继高数值孔径 EUV 之后的潜在下一代技术感兴趣。或者,像英特尔或三星这样的大型半导体制造商也可以收购这项技术,以增强自身的制造能力。
乐观的设想是,Substrate公司确实开发出一种实用且更具成本效益的光刻解决方案,但放弃代工业务,转而向现有制造商销售系统。这将降低准入门槛,并可能促进光刻设备市场的良性竞争。ASML将面临降低价格和加快创新的压力。整个行业都将从中受益。
Substrate掌握技术、成功运营自有晶圆厂并成为重要的代工厂竞争对手的这种变革性情景,似乎可能性最小。在世界上资本密集度最高、最复杂的行业之一中,将技术创新与商业模式创新相结合,是一项极其艰巨的挑战。
更广泛的影响:摩尔定律、小型化极限和替代路径
Substrate 的故事也引发了关于半导体行业未来走向的根本性问题。摩尔定律——即芯片上的晶体管数量大约每两年翻一番——自 20 世纪 60 年代以来一直是该行业的风向标。但越来越多的人预测,这一趋势即将终结。
物理极限正变得日益明显。晶体管的尺寸正逼近原子尺度。在小于三纳米的结构中,会出现诸如隧穿效应之类的量子效应,即电子不受控制地跃过势垒。发热问题也随之而来,电子漏电流也随之增加。一些专家认为,摩尔定律早在2016年就已经终结,当时英特尔用了五年时间才将工艺从十纳米提升到七纳米,而不是传统的两年。
经济制约因素同样不容忽视。洛克定律指出,半导体工厂的建设成本大约每四年翻一番。一座用于两纳米制程技术的晶圆厂造价高达200亿美元甚至更多。能够承担如此巨额投资的公司数量正在不断减少。目前,只有台积电、三星和英特尔仍在争夺领先制程节点。其他公司都已退出竞争,转而专注于更成熟、利润更高的技术。
在此背景下,Substrate公司承诺大幅降低成本尤其引人注目。如果成功,更多企业可能会进入领先的半导体制造领域,从而刺激竞争。然而,即使光刻技术成本降低,晶圆厂的整体成本仍然非常高昂,因为光刻成本仅占设备总成本的约20%。
人们正在积极研究延续摩尔定律的替代方案。新型晶体管架构,例如三星和台积电在三纳米工艺中推出的全环栅场效应晶体管(GEAT),能够更好地控制电子流。通过台积电的CoWoS等先进封装技术实现芯片的三维堆叠,可以将更多功能集成到更小的体积中。氮化镓或碳纳米管等新型材料有望补充或取代硅。神经形态计算架构和量子计算机则有望带来截然不同的计算范式。
定向自组装嵌段共聚物和纳米压印光刻是正在探索的另外两种光刻技术。这些技术在某些应用中可能具有优势,但迄今为止尚未实现大规模生产。半导体行业在工艺变更方面较为保守,因为风险过高。
一个充满挑战却又充满变数的难题
Substrate 的公告无疑令人振奋,并引发了关于半导体制造未来发展的重要问题。它对现有垄断企业、地缘政治权力结构以及这一关键行业的经济平衡都可能产生重大影响。
然而,保持冷静的现实态度是必要的。半导体行业的历史充满了失败的辉煌技术和被证明夸大的宣传。X射线光刻技术在20世纪80年代和90年代就被誉为未来发展方向,但最终也以失败告终。Substrate公司必须克服的技术、经济和组织方面的挑战是巨大的。
ASML和台积电并非偶然取得如今的市场主导地位,而是数十年来耐心耕耘、巨额投资、精明合作以及卓越技术共同作用的结果。这些公司不会坐视新来者入侵市场,它们会加快自身创新步伐,调整价格,并努力留住潜在客户。
对于包括彼得·蒂尔和In-Q-Tel在内的Substrate投资者而言,这是一项高风险投资,潜在利润巨大,但也极有可能血本无归。而对于整个半导体行业来说,这一进展则发出了一个积极的信号:创新尚未停止,新的方法仍在探索之中。即便Substrate最终失败,从中汲取的经验教训也能为未来的发展提供借鉴。
未来几年将见证Substrate能否真正革新半导体行业,还是仅仅成为漫长微型化进程中的又一个插曲。这一事件的经济、技术和地缘政治层面,使其成为一个引人入胜的案例,深入探讨了创新、颠覆以及现代经济中最复杂行业之一的极限。
芯片战争2.0:为什么美国、中国和欧洲面临着截然不同的风险
这种威胁绝不仅限于欧洲,而是影响着整个全球半导体产业。然而,对美国和中国而言,这种威胁的性质与对欧洲而言截然不同。
1. 对欧洲(尤其是ASML)的威胁
对欧洲而言,这种威胁是直接的,也是生死攸关的。
ASML成为众矢之的:Substrate公司正瞄准欧洲科技巨头ASML的核心业务。如果X射线光刻技术取得成功,将打破ASML在尖端光刻系统领域长达数十年的垄断地位。
经济损失:一个成功的竞争对手将削弱ASML强大的定价权和高利润率。对下一代(高数值孔径EUV)光刻机的投资,每台机器耗资数亿美元,最终可能被证明是一项糟糕的投资。
生态系统的削弱:这种威胁蔓延到围绕 ASML 建立的整个欧洲供应链,特别是德国高科技公司,如蔡司(光学)和通快(激光)。
地缘政治损失:欧洲正在失去其最重要的地缘政治杠杆。对ASML的控制赋予欧盟(以及荷兰)在全球技术冲突中独一无二的权力地位,而这一地位本已受到美国压力的限制。如果美国采取其他方案,几乎会彻底消除这一地位。
2. 美国竞争面临的威胁
对美国而言,这是一把双刃剑:对国家而言是战略机遇,但对美国现有企业而言却是破坏性威胁。
对英特尔和三星的威胁:像英特尔和三星这样的公司,在《芯片法案》(CHIPS Act)的支持下,在美国投入巨资,它们未来的发展战略完全依赖于ASML的EUV光刻技术。它们已在基于EUV技术的工厂上投入了数十亿美元。Substrate公司推出的全新且不兼容的技术将使这些投资贬值,并迫使它们彻底重新思考其发展路线图。
国内市场正涌现出一位新的竞争对手:Substrate公司不仅计划销售芯片,还计划运营自己的晶圆代工厂。这将使其直接与英特尔的晶圆代工计划和三星在美国的工厂展开竞争。这家新的、成本可能更低的竞争者将显著加剧国内市场的竞争压力。
对无晶圆厂公司而言的优势:然而,对于英伟达、AMD 或高通等芯片设计公司来说,这一发展主要是一个机遇。它们目前依赖于台积电。一家新的美国晶圆代工厂将增强它们的谈判地位,并降低供应链风险。只有当 Substrate 失败并占用原本可以用于其他领域的宝贵投资资金时,它们才会面临间接的“威胁”。
总而言之,对于美国而言:它不会对国家安全或经济构成威胁(恰恰相反),但会对美国现有半导体制造商的平衡和商业模式构成破坏性威胁。
3. 对中国的威胁
对中国而言,这种威胁纯粹是地缘政治和战略性的——而且可能比ASML构成的威胁还要大。
加强技术封锁:美国已经阻止ASML向中国供应其最先进的EUV系统。如果领先的光刻技术现在是由一家美国公司在中央情报局的参与下直接研发的,那么出口管制将变得更加严格、更加难以突破。美国的技术垄断将进一步加强。
差距正在扩大:中国使用较为老旧的深紫外光刻技术,难以赶上更先进的制程节点(例如中芯国际的7纳米工艺)。如果西方出现一种价格更低、性能更强的新技术,将使中国的努力倒退数年,并显著拉大技术差距。
自给自足的压力日益增大:这一事态发展最终向中国证明,它永远无法依赖西方技术。这将极大地增加中国政府投入更多资源研发自主光刻技术的压力——这是一项极其昂贵且耗时的任务。
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