태양전지 신기록 – 태양전지 신기록

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동시에 더 높은 효율성 – 새로운 태양전지 기록

태양광 연구에서는 태양전지의 효율을 더욱 높이기 위해 열심히 노력하고 있습니다. 빛을 전기 에너지로 변환할 때 태양 스펙트럼을 더욱 효율적으로 사용하기 위해 강력한 태양 전지 재료를 다양한 조합으로 결합하는 직렬형 광전지에 점점 더 초점이 맞춰지고 있습니다. Fraunhofer ISE는 실리콘에 직접 성장한 III-V/Si 직렬 태양전지에서 25.9% 효율이라는 신기록을 세웠습니다. 이는 비용 효율적인 실리콘 기판에서 처음으로 제조되었으며, 이는 직렬 광전지의 경제적인 솔루션을 향한 중요한 이정표입니다.

 

 

프라운호퍼 태양 에너지 시스템 연구소 ISE는 여러 태양광 전지에 대해 수년 동안 연구해 왔습니다. 이 태양 전지에서는 2~3개의 하위 전지가 서로 다른 파장의 햇빛을 전기로 변환하기 위해 하나씩 배열되어 있습니다. 실리콘은 스펙트럼의 적외선 부분에 대한 흡수제로 적합하며 그 위에 수 마이크로미터 두께의 III-V 반도체 층이 적용됩니다. 이들은 주기율표의 III족과 V족에 속하며 자외선, 가시광선 및 빛을 변환합니다. 근적외선 빛을 더 효율적으로 전기 보행에 투입합니다. 순수 III-V 반도체 태양전지는 이미 우주 및 집속기 태양광 발전에 사용되고 있습니다. 가장 낮은 하위 셀인 실리콘과 함께 보다 비용 효과적인 프로세스를 통해 직렬 기술은 향후 광범위한 광전지에 접근할 수 있어야 합니다. 그러나 그때까지는 아직 갈 길이 멀다.

실리콘에서 직접 성장한 III-V/Si 직렬 태양전지의 경우 25.9%

III-V 태양전지와 실리콘 태양전지의 조합을 만드는 데는 다양한 접근 방식이 있습니다. Fraunhofer ISE는 2019년부터 III-V 반도체 층이 갈륨 비소 기판에서 실리콘으로 전사되는 직렬형 태양전지 효율 34.1%(현재 34.5%)라는 세계 기록을 보유하고 있습니다. - 웨이퍼라 불리는 - 본드가 연결되어 있습니다. 이 기술은 효율적이지만 비용이 많이 듭니다. 따라서 Fraunhofer ISE는 III-V 층을 실리콘 태양전지에 증착하거나 에피택셜화하는 보다 직접적인 제조 공정을 수년간 연구해 왔습니다. 모든 층에서 높은 결정 품질을 유지하는 것이 중요하며 이는 주요 과제입니다. 실리콘에서 직접 성장한 III-V/Si 직렬 태양전지의 경우 효율성 25.9%라는 새로운 세계 기록을 달성했습니다. Fraunhofer ISE 과학자 Markus Feifel은 최근 많은 컨퍼런스와 마찬가지로 온라인으로 진행되고 있는 제47회 IEEE 광전지 전문가 컨퍼런스에서 자신의 성공을 발표할 수 있었고 하이브리드 직렬 태양전지 부문에서 학생상을 받는 영예를 안았습니다. 24.3에서 24.3으로 연구 성과를 늘린 젊은 태양전지 연구자는 “모든 흡수체가 서로 연결되어 있고 추가적인 결정층에 의해 전기적으로 연결되어 있기 때문에 셀의 복잡한 내부 구조가 외부에서 보이지 않는다”고 설명했다. 1년 이내에 25.9%가 향상될 수 있습니다. “이러한 성공은 다중 셀 내의 단일 얇은 층을 교체함으로써 달성되었습니다.”라고 그는 덧붙였습니다. "우리 세포를 면밀히 분석한 결과 이 ​​층이 전기 전도에 대한 장벽을 생성한다는 사실이 밝혀졌습니다."

프라운호퍼 연구진은 2007년부터 Philipps Univ. Ilmenau TU와 함께 작은 단계로 기술을 개발해 왔습니다. Marburg와 Aixtron 회사는 특수 에피택시 시스템을 설치하고 구조의 모든 단일 레이어를 검사했습니다. 이러한 개발은 "III-V-Si" 및 "MehrSi" 프로젝트의 일환으로 연방 연구부 BMBF의 자금 지원을 받았습니다. 새로운 직렬형 태양전지의 특별한 하이라이트는 III-V 층이 이전의 경우처럼 화학적으로 기계적으로 연마된 기판 위에 성장한 것이 아니라 실리콘 웨이퍼 위에 성장했다는 것입니다. 저렴한 연삭 및 에칭 공정이 처리되었습니다. 유럽의 "SiTaSol" 프로젝트의 일환으로 덴마크 회사 Topsil이 이러한 실리콘 웨이퍼를 개발하여 새로운 다중 접합 태양 전지의 경제적인 생산을 향한 중요한 단계를 밟았습니다. 앞으로 목표는 에너지 전환에 필요한 광전지에 중요한 기여를 하는 직렬 광전지를 목표로 효율성을 더욱 높이고 처리량을 높여 비용 효율적으로 레이어를 더욱 빠르게 증착하는 것입니다. 확장을 이룰 수 있습니다.

에너지전환 핵심기술

태양전지에서 나오는 전기는 이제 세계 여러 지역에서 가장 저렴한 에너지 생산 형태가 되었습니다. "유럽 태양광 연구에서는 에너지 전환을 위한 핵심 기술의 효율성을 더욱 발전시키기 위해 수많은 개념이 진행 중입니다."라고 Dr. Stefan Glunz, 태양광전지 연구 책임자. »우리는 실리콘 태양전지의 생산을 더욱 지속 가능하고 비용 효율적으로 만들기 위해 노력할 뿐만 아니라 동시에 입증된 실리콘을 다른 반도체 재료와 결합하여 훨씬 더 높은 효율성을 달성하는 새로운 방법을 모색하고 있습니다. 우리는 직렬형 광전지로 이를 달성할 수 있습니다. « 직렬형 광전지는 발전의 미래를 열어줄 뿐만 아니라, 이러한 태양전지는 더 높은 전압으로 인해 물을 수소와 산소로 직접 분해하는 전기분해에도 이상적입니다. 따라서 이 기술은 에너지 저장 장치이자 에너지 전환을 위한 중요한 구성 요소인 수소 생산에도 기여합니다.

 

 

AM 1.5g 스펙트럼 조건에서 III-V/Si 다중 태양전지의 층 구조, 양자 효율 및 IV 특성

동시에 더 높은 효율성 – 새로운 태양전지 기록

광전지 연구는 태양전지의 효율을 지속적으로 높이기 위해 열심히 노력하고 있습니다. 빛을 전기 에너지로 변환하는 데 태양 스펙트럼을 더욱 효율적으로 사용하기 위해 고성능 태양 전지 재료를 다양한 조합으로 결합하는 직렬형 광전지에 점점 더 초점이 맞춰지고 있습니다. Fraunhofer ISE는 실리콘에 직접 성장한 III-V/Si 직렬 태양전지에서 25.9%라는 새로운 기록적인 효율성을 보고했습니다. 처음으로 이 제품은 저가형 실리콘 기판에서 생산되었으며, 이는 직렬형 광전지를 위한 경제적인 솔루션을 향한 중요한 이정표입니다.

 

 

Fraunhofer 태양 에너지 시스템 연구소 ISE는 서로 다른 파장의 햇빛을 전기로 변환하기 위해 2개 또는 3개의 부분 셀이 서로 겹쳐 배열되어 있는 다중 접합 태양 전지에 대해 수년 동안 연구해 왔습니다. 실리콘은 스펙트럼의 적외선 부분과 주기율표 III 및 V족의 물질인 III-V 반도체 층에 대한 흡수제로 적합합니다. 이 물질은 자외선, 가시광선 및 근적외선을 보다 효율적으로 전기로 변환합니다. 그것의 꼭대기. 순수 III-V 반도체 태양전지는 이미 우주 및 집속기 태양광 발전에 사용되고 있습니다. 가장 낮은 하위 셀인 실리콘과 결합된 보다 비용 효과적인 프로세스를 통해 직렬 기술은 향후 광범위한 기반의 광전지에 접근 가능하게 될 것입니다. 그러나 그때까지는 아직 갈 길이 멀다.

실리콘에서 직접 성장한 III-V/Si 직렬 태양전지의 경우 25.9%

III-V 및 실리콘 태양 전지의 조합을 생산하기위한 다른 접근법이있다. 예를 들어, 2019 년 이래로 Fraunhofer ISE는 III-V 반도체 층이 갈륨 비소 기판에서 실리콘으로 전달되는 탠덤 태양 전지에 대해 34.1 %의 효율 (현재 34.5 %)을 기록했습니다. 소위 웨이퍼 본드. 이 기술은 효율적이지만 비싸다. 이러한 이유로, Fraunhofer ISE는 III-V 층이 퇴적물 또는 실리콘 태양 전지에 대한 에피 택스가있는보다 직접적인 제조 공정에서 수년 동안 일해 왔습니다. 여기서는 모든 층의 높은 결정 품질을 유지하는 것이 중요합니다. 실리콘에서 직접 자란 III-V/Si 탠덤 태양 전지에 대해 25.9 %의 새로운 세계 기록 효율이 달성되었습니다. Fraunhofer ISE 과학자 인 Markus Feifel은 최근 47 번째 IEEE 태양 광 전문가 회의에서 성공할 수 있었으며 현재 많은 회의와 마찬가지로 하이브리드 탠덤 태양 전지에서 학생 상을 수상했습니다. 젊은 태양 세포 연구에 따르면“외부에서는 모든 흡수 장치가 추가 결정 층에 의해 서로 연결되고 전기적으로 유선되기 때문에 세포의 복잡한 내부 구조는 보이지 않습니다. 1 년 이내에 25.9 %. "이 성공은 다중 셀 내에서 단일 얇은 층을 교체함으로써 달성되었습니다." "우리 세포를 신중하게 분석 한 결과이 층이 전력선에 대한 장벽을 만들었습니다."

작은 단계에서 Fraunhofer 연구원들은 2007 년 이래 Philipps Univ의 Ilmenau 기술 대학과 협력하여 기술을 더욱 발전 시켰습니다. Marburg와 회사 Aixtron은 특수 에피 택시 장비를 설정하고 구조물의 모든 단일 층을 검사합니다. 논문 개발은 독일 연방 교육 연구부 (BMBF)가“III-V-SI”및“MEHRSI”프로젝트의 일환으로 자금을 지원했습니다. 새로운 탠덤 태양 전지의 특별한 하이라이트는 III-V 층이 이전의 경우와 같이 화학 기계적으로 연마 된 기판에서 성장하지 않고, 결정을 낸 후, 저렴한 연삭 및 저렴한 분쇄 및 단순한 과정에서 처리 된 실리콘 웨이퍼에서 성장하지 않았다는 것입니다. 에칭 프로세스. 유럽 ​​프로젝트“Sitasol”내에서 덴마크 회사 Topsil은 논문 실리콘 웨이퍼를 개발하여 새로운 다기능 태양 전지의 경제 생산을 향한 중요한 단계를 실현했습니다. 앞으로, 탠덤 태양 광 발전이 광전지 확장에 수입 기여를 할 수 있다는 목표를 통해 높이가 높아지고 비용이 많이 들면서 층의 증착을 훨씬 더 빨리 실현하는 것이 목표입니다. 에너지 처리에 필요합니다.

에너지시스템 전환을 위한 핵심기술

오늘날 세계의 많은 지역에서 태양 전지의 전기는 가장 저렴한 형태의 에너지 생성입니다. Dr. 교수는“유럽 광전지 연구는 에너지 처리를위한이 핵심 기술의 효율성을 더욱 발전시키기 위해 수많은 개념을 연구하고 있습니다. 태양 광 연구 부서 책임자 인 Stefan Glunz. “우리는 실리콘 태양 전지의 생산을 훨씬 더 지속 가능하고 비용-피할 수 있도록 노력하고있을뿐만 아니라 동시에 다른 반도체 재료와 함께 효율성과 조화를 이루는 입증 된 실리콘을 만들기 위해 새로운 지평을 깨고 있습니다. 우리는 탠덤 태양 광 발전으로 이것을 달성하고 있습니다. 탠덤 태양 광 발전은 발전의 미래로가는 길 일뿐 만 아니라 전압으로 인해 논문 태양 전지는 전기 분해에 이상적으로 적합합니다. 따라서이 기술은 에너지 저장 매체로서 수소 생산 및 에너지 처리를위한 중요한 빌딩 블록에 기여합니다.

 

 

III-V/Si 다중접합 태양전지의 층 구조, AM 1.5g 스펙트럼 조건에서의 양자 효율 및 IV 특성