दो-सतह, द्वि-सतह या द्वि-सतह सौर सेल - सौर मॉड्यूल के बारे में रोचक जानकारी

आज अधिकांश सौर सेल सिलिकॉन से बने होते हैं। सिलिकॉन एक अर्धचालक है और इस प्रकार इसके बाहरी इलेक्ट्रॉन एक ऊर्जा अंतराल में होते हैं जिसे वैलेंस बैंड कहा जाता है, जो उस बैंड के ऊर्जा स्तर को पूरी तरह से भर देता है। इस वैलेंस बैंड के ऊपर एक निषिद्ध बैंड या ऊर्जा अंतराल है जिसमें कोई इलेक्ट्रॉन मौजूद नहीं हो सकता है, और आगे चालन बैंड है। यह चालन बैंड इलेक्ट्रॉनों से लगभग खाली है, लेकिन यह वह जगह है जहां फोटॉन के अवशोषण से उत्तेजित होने के बाद वैलेंस बैंड इलेक्ट्रॉनों को रखा जाता है। इन इलेक्ट्रॉनों में अर्धचालक के सामान्य इलेक्ट्रॉनों की तुलना में अधिक ऊर्जा होती है। अब तक वर्णित सी की विद्युत चालकता, जिसे आंतरिक सिलिकॉन कहा जाता है, बेहद कम है। फॉस्फोरस परमाणुओं के साथ एक मामूली संदूषण के परिणामस्वरूप चालन बैंड में अतिरिक्त इलेक्ट्रॉन होते हैं, जो सिलिकॉन को एन-प्रकार बनाते हैं और इसे एक चालकता देते हैं जो फॉस्फोरस परमाणुओं के घनत्व को बदलकर प्रभावित किया जा सकता है। वैकल्पिक रूप से, बोरान या एल्यूमीनियम परमाणुओं के साथ संदूषण के कारण सी पी-प्रकार बन सकता है और इसकी चालकता भी प्रभावित हो सकती है। ये अशुद्धता परमाणु वैलेंस बैंड से इलेक्ट्रॉनों को अवशोषित करते हैं और इसमें तथाकथित "छेद" छोड़ देते हैं जो आभासी सकारात्मक चार्ज की तरह व्यवहार करते हैं। पी-प्रकार अर्धचालक की तरह व्यवहार करने और एक संकीर्ण (~ 0.5 माइक्रोन) सतही एन-प्रकार क्षेत्र रखने के लिए सी सौर कोशिकाओं को आम तौर पर बोरॉन के साथ डोप किया जाता है। दोनों के बीच तथाकथित पीएन जंक्शन बनता है, जिसमें एक विद्युत क्षेत्र बनता है जो इलेक्ट्रॉनों और छिद्रों, इलेक्ट्रॉनों को सतह पर और छिद्रों को आंतरिक भाग में विभाजित करता है। इस प्रकार, एक फोटोकरंट उत्पन्न होता है, जो दोनों तरफ धातु संपर्कों के माध्यम से नष्ट हो जाता है। पीएन जंक्शन से दूर गिरने वाला प्रकाश विभाजित नहीं होता है, और बनाए गए इलेक्ट्रॉन-छेद जोड़े अंततः पुन: संयोजित होते हैं और एक फोटोकरंट उत्पन्न नहीं करते हैं। जैसा कि यहां बताया गया है, सेल में पी और एन क्षेत्रों की भूमिकाओं को उलटा किया जा सकता है।

तदनुसार, एक मोनोफेशियल सौर सेल केवल तभी फोटोकरंट उत्पन्न करता है जब वह सतह जहां जंक्शन बना था, प्रकाशित होती है।

दूसरी ओर, एक द्विभाजित सौर सेल को इस तरह डिज़ाइन किया गया है कि सेल दोनों तरफ सक्रिय है और जब दोनों तरफ - सामने या पीछे - प्रकाशित होता है तो फोटोक्रेक्ट उत्पन्न करता है।

अतिरिक्त बिजली उत्पादन लाभ: पी सौर कोशिकाओं की तुलना में, एन सौर कोशिकाओं में दक्षता में उल्लेखनीय वृद्धि होती है। बाइफेशियल उत्पादन क्षमता और उच्च सिस्टम दक्षता के कारण बाइफेशियल सौर कोशिकाओं का व्यापक अनुप्रयोग परिप्रेक्ष्य होगा, और ये विशेष रूप से बर्फीले क्षेत्रों और वितरित पीढ़ी प्रणालियों जैसे छतों, बाड़ और ध्वनि अवरोधों के लिए उपयुक्त हैं।

सेल बैकसाइड दक्षता 19% से अधिक तक पहुंच सकती है, और सिस्टम की उत्पादन क्षमता में सुधार के लिए घटना बैकलाइट का उपयोग किया जा सकता है, यूनिट क्षेत्र की क्षमता 10% ~ 30% तक बढ़ सकती है।

बाइफेशियल सेल तकनीक वाले ग्लास मॉड्यूल के साथ, प्रकाश को मॉड्यूल के आगे और पीछे दोनों तरफ कैप्चर किया जाता है। प्रकाश का उपयोग बढ़ाने से मॉड्यूल की दक्षता बढ़ जाती है। मॉड्यूल के सक्रिय रियर के माध्यम से 360 Wp तक की कुल शक्ति प्राप्त की जा सकती है (केवल सामने 290 Wp / कुल 320 - 360 Wp)।

दक्षता लाभ विकिरण स्थिति (वातावरण और पृष्ठभूमि) पर निर्भर करता है।

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