दो-सतह, द्वि-सतह या द्वि-सतह सौर सेल - सौर मॉड्यूल के बारे में रोचक जानकारी

सौर कोशिकाओं का विशाल बहुमत अब सिलिकॉन से बनाया गया है। सिलिकॉन एक अर्धचालक है और जैसे कि वैलेंस बैंड नामक एक ऊर्जा अंतराल में इसके बाहरी इलेक्ट्रॉन हैं, और इस बैंड के ऊर्जा स्तर को पूरी तरह से भरते हैं। इस वैलेंस बैंड के ऊपर एक निषिद्ध बैंड या एक ऊर्जा टुकड़ा है जिसमें कोई इलेक्ट्रॉन मौजूद नहीं हो सकता है, और लाइन बैंड आगे स्थित है। यह लाइन बैंड इलेक्ट्रॉनों से लगभग खाली है, लेकिन यह वह स्थान है जहां फोटॉनों के अवशोषण से प्रेरित होने के बाद वैलेंस बैंड के इलेक्ट्रॉनों को समायोजित किया जाता है। इन इलेक्ट्रॉनों में अर्धचालक के साधारण इलेक्ट्रॉनों की तुलना में अधिक ऊर्जा होती है। अब तक वर्णित SI की विद्युत चालकता, जिसे आंतरिक सिलिकॉन के रूप में संदर्भित किया जाता है, बेहद कम है। फॉस्फोरस परमाणुओं के साथ एक मामूली संदूषण लाइन बैंड में अतिरिक्त इलेक्ट्रॉनों की ओर जाता है, जो सिलिकॉन एन-कंडक्टिव बनाता है और एक चालकता प्राप्त करता है जो फास्फोरस परमाणुओं के घनत्व को बदलकर प्रभावित हो सकता है। वैकल्पिक रूप से, बोरॉन या एल्यूमीनियम परमाणुओं के साथ संदूषण सी पी-लीडिंग को जन्म दे सकता है और इसमें एक चालकता है जो प्रभावित भी हो सकती है। ये संदूषण परमाणु वैलेंस बैंड से इलेक्ट्रॉनों को अवशोषित करते हैं और इतने "छेद" को छोड़ देते हैं, जो आभासी सकारात्मक चार्ज की तरह व्यवहार करते हैं। सी सौर कोशिकाओं को आमतौर पर बोरॉन के साथ संपन्न किया जाता है, ताकि वे पी-प्रकार-नेकर की तरह व्यवहार करें, और एक संकीर्ण (~ 0.5 माइक्रोमीटर) सतही एन-टाइप रेंज हो। दोनों के बीच, तथाकथित पीएन संक्रमण का गठन किया जाता है, जिसमें एक विद्युत क्षेत्र बनाया जाता है, इलेक्ट्रॉन और छेद विभाजित होते हैं, सतह पर इलेक्ट्रॉनों और अंदर तक छेद। इस तरह, एक फोटो करंट उत्पन्न होता है, जो दोनों तरफ धातु संपर्कों से लिया जाता है। पीएन संक्रमण से दूर गिरने वाला प्रकाश विभाजित नहीं होता है, और उत्पन्न इलेक्ट्रॉन-होल जोड़े अंततः पुनर्संयोजन करते हैं और एक फोटो स्ट्रीम उत्पन्न नहीं करते हैं। सेल में पी और एन क्षेत्रों की भूमिकाएं, जैसा कि यहां बताया गया है, का आदान -प्रदान किया जा सकता है।

तदनुसार, एक मोनोफेशियल सौर सेल केवल तभी फोटोकरंट उत्पन्न करता है जब वह सतह जहां जंक्शन बना था, प्रकाशित होती है।

दूसरी ओर, एक द्विभाजित सौर सेल को इस तरह डिज़ाइन किया गया है कि सेल दोनों तरफ सक्रिय है और जब दोनों तरफ - सामने या पीछे - प्रकाशित होता है तो फोटोक्रेक्ट उत्पन्न करता है।

अतिरिक्त बिजली उत्पादन लाभ: पी सौर कोशिकाओं की तुलना में, एन सौर कोशिकाओं में दक्षता में उल्लेखनीय वृद्धि होती है। बाइफेशियल उत्पादन क्षमता और उच्च सिस्टम दक्षता के कारण बाइफेशियल सौर कोशिकाओं का व्यापक अनुप्रयोग परिप्रेक्ष्य होगा, और ये विशेष रूप से बर्फीले क्षेत्रों और वितरित पीढ़ी प्रणालियों जैसे छतों, बाड़ और ध्वनि अवरोधों के लिए उपयुक्त हैं।

सेल बैकसाइड दक्षता 19% से अधिक तक पहुंच सकती है, और सिस्टम की उत्पादन क्षमता में सुधार के लिए घटना बैकलाइट का उपयोग किया जा सकता है, यूनिट क्षेत्र की क्षमता 10% ~ 30% तक बढ़ सकती है।

बाइफेशियल सेल तकनीक वाले ग्लास मॉड्यूल के साथ, प्रकाश को मॉड्यूल के आगे और पीछे दोनों तरफ कैप्चर किया जाता है। प्रकाश का उपयोग बढ़ाने से मॉड्यूल की दक्षता बढ़ जाती है। मॉड्यूल के सक्रिय रियर के माध्यम से 360 Wp तक की कुल शक्ति प्राप्त की जा सकती है (केवल सामने 290 Wp / कुल 320 - 360 Wp)।

दक्षता लाभ विकिरण स्थिति (वातावरण और पृष्ठभूमि) पर निर्भर करता है।

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