एक सिलिकॉन सौर सेल का पहली बार 1946 में बेल लैब्स में काम करते समय रसेल ओहल द्वारा पेटेंट कराया गया था और 1954 में उसी अनुसंधान सुविधा में फुलर, चैपिन और पियर्सन द्वारा सार्वजनिक रूप से प्रदर्शित किया गया था; हालाँकि, इन प्रारंभिक प्रस्तावों में मोनोफेशियल कोशिकाएँ शामिल थीं, जिनका पिछला भाग सक्रिय होने का इरादा नहीं था।
पहला सैद्धांतिक रूप से प्रस्तावित बाइफेशियल सौर सेल 4 अक्टूबर 1960 की प्राथमिकता तिथि वाले जापानी पेटेंट में पाया जा सकता है, जिसे हिरोशी मोरी ने लिखा था, जिन्होंने कंपनी हयाकावा डेन्की कोग्यो काबुशिकी कैशा (हयाकावा इलेक्ट्रिक इंडस्ट्री कंपनी लिमिटेड) के लिए काम किया था, जो बाद में विकसित हुई। आज के शार्प कॉरपोरेशन में। प्रस्तावित सेल एक पीएनपी दोहरी सेल संरचना थी जिसमें दो विपरीत किनारों पर संपर्क इलेक्ट्रोड थे।
हालाँकि, सैन्य LEO अंतरिक्ष स्टेशनों सैल्युट 3 (1974) और सैल्यूट 5 (1976) में सोवियत अंतरिक्ष कार्यक्रम के हिस्से के रूप में बाइफेसियल सौर कोशिकाओं और पैनलों का पहला प्रदर्शन किया गया था। ये बाइफेशियल सौर सेल बोर्डिना एट अल द्वारा विकसित किए गए थे। मॉस्को में VNIIT (ऑल यूनियन साइंटिफिक रिसर्च इंस्टीट्यूट ऑफ एनर्जी सोर्सेज) में विकसित और निर्मित किया गया, जो 1975 में रूसी सौर सेल निर्माता KVANT बन गया। 1974 में, इस टीम ने एक अमेरिकी पेटेंट दायर किया जिसमें कोशिकाओं को 1 मिमी x 1 मिमी x 1 मिमी के अधिकतम आकार के साथ मिनी-समानांतर पाइप के रूप में प्रस्तावित किया गया था, जो 100 कोशिकाएं/सेमी2 प्रदान करने के लिए श्रृंखला में जुड़े हुए थे। आज के बीएससी की तरह, उन्होंने प्रकाश प्राप्त करने वाली सतहों में से एक के पास आइसोटाइपिक यौगिकों पीपी+ के उपयोग का प्रस्ताव दिया। सैल्यूट 3 में, 24 सेमी2 के कुल सेल क्षेत्र वाले छोटे प्रयोगात्मक पैनलों ने उस समय के मोनोफेशियल पैनलों की तुलना में पृथ्वी के अल्बेडो के कारण प्रति उपग्रह क्रांति में ऊर्जा उत्पादन में 34% तक की वृद्धि देखी। सैल्युट 5 अंतरिक्ष स्टेशन की उड़ान के दौरान, बाइफेशियल पैनल (0.48 एम2 - 40 डब्ल्यू) का उपयोग करके 17-45% की वृद्धि देखी गई।
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इस रूसी शोध के समानांतर, आयरन कर्टन के दूसरी ओर, मैड्रिड के तकनीकी विश्वविद्यालय के दूरसंचार इंजीनियरिंग स्कूल की अर्धचालक प्रयोगशाला, प्रोफेसर एंटोनियो ल्यूक के नेतृत्व में, औद्योगिक रूप से लागू करने के लिए स्वतंत्र रूप से एक व्यापक शोध कार्यक्रम चला रही है। द्विभाजित सौर सेल. जबकि मोरी का पेटेंट और अंतरिक्ष यान में VNIIT-KVANT प्रोटोटाइप छोटी कोशिकाओं पर आधारित थे जिनकी सतह पर कोई धातु ग्रिड नहीं था और इसलिए वे जटिल रूप से जुड़े हुए थे, माइक्रोइलेक्ट्रॉनिक उपकरणों की शैली में उनके प्रारंभिक चरण में, ल्यूक के पास दो स्पेनिश पेटेंट होंगे 1976 और 1977 में और संयुक्त राज्य अमेरिका में 1977 में एक, जो आधुनिक बिफेशियल कोशिकाओं के अग्रदूत थे। ल्यूक के पेटेंट प्रति सिलिकॉन वेफर में एक सेल के साथ बीएससी का प्रस्ताव करने वाले पहले व्यक्ति थे, जैसा कि मोनोफेशियल कोशिकाओं के मामले में तब था और आज भी है, दोनों सतहों पर धातु ग्रिड के साथ। उन्होंने एनपीपी+ संरचना और पीएनपी संरचना दोनों पर विचार किया।
सेमीकंडक्टर प्रयोगशाला में बीएससी के विकास के लिए तीन-तरफा दृष्टिकोण अपनाया गया, जिसके परिणामस्वरूप तीन डॉक्टरेट थीसिस सामने आईं, जो एन्ड्रेस क्यूवास (1980), जेवियर एगुरेन (1981) और जेसुस सेंगराडोर (1982) द्वारा लिखी गईं, पहले दो की देखरेख ल्यूक और तीसरा डॉ. द्वारा उसी समूह से गेब्रियल साला। क्यूवास के डॉक्टरेट कार्य में 1976 में ल्यूक के पहले पेटेंट का निर्माण शामिल था, जिसे ट्रांजिस्टर जैसी एनपीएन संरचना के कारण "ट्रांससेल" कहा गया था। अपने शोध प्रबंध में, एगुरेन ने एनपीपी+ डोपिंग प्रोफाइल के साथ 1977 के ल्यूक के दूसरे पेटेंट के प्रदर्शन को संबोधित किया, जिसमें पीपी+ आइसोटोपिक जंक्शन सेल के पीछे के निकट स्थित होता है, जो सौर सेल प्रौद्योगिकी में आमतौर पर "बैक सरफेस फील्ड" के रूप में जाना जाता है। बीएसएफ)। इस कार्य से कई प्रकाशन और अतिरिक्त पेटेंट प्राप्त हुए। विशेष रूप से, आधार में पी-डोपिंग को कम करने का लाभकारी प्रभाव, जहां उत्सर्जक जंक्शन (फ्रंट पीएन जंक्शन) में वोल्टेज में कमी की भरपाई पीछे के आइसोटाइपिक जंक्शन में वोल्टेज वृद्धि से की गई थी, जबकि साथ ही उच्च प्रसार की अनुमति दी गई थी अल्पसंख्यक वाहकों की लंबाई, जो द्विपक्षीय प्रकाश व्यवस्था के साथ बिजली उत्पादन को बढ़ाती है। मैड्रिड के तकनीकी विश्वविद्यालय में सेंगराडोर के शोध प्रबंध और विकास के तीसरे पथ ने तथाकथित ऊर्ध्वाधर किनारे-प्रकाश वाले मल्टीपल जंक्शन सौर सेल का प्रस्ताव दिया, जिसमें पी+एनएन+ को ढेर किया जाता है और श्रृंखला में जोड़ा जाता है और उनके किनारों से प्रकाशित किया जाता है, जो उच्च-वोल्टेज कोशिकाएं हैं जिसके लिए सतह धातु ग्रिड की आवश्यकता नहीं होती है, उसके लिए बिजली उत्पादन की आवश्यकता होती है।
दोहरी सतह वाले सौर सेलों के मुख्य लाभ
अतिरिक्त बिजली उत्पादन लाभ: पी सौर कोशिकाओं की तुलना में, एन सौर कोशिकाओं में दक्षता में उल्लेखनीय वृद्धि होती है। बाइफेशियल उत्पादन क्षमता और उच्च सिस्टम दक्षता के कारण बाइफेशियल सौर कोशिकाओं का व्यापक अनुप्रयोग परिप्रेक्ष्य होगा, और ये विशेष रूप से बर्फीले क्षेत्रों और वितरित पीढ़ी प्रणालियों जैसे छतों, बाड़ और ध्वनि अवरोधों के लिए उपयुक्त हैं।
सेल बैकसाइड दक्षता 19% से अधिक तक पहुंच सकती है, और सिस्टम की उत्पादन क्षमता में सुधार के लिए घटना बैकलाइट का उपयोग किया जा सकता है, यूनिट क्षेत्र की क्षमता 10% ~ 30% तक बढ़ सकती है।
बाइफेशियल सेल तकनीक वाले ग्लास मॉड्यूल के साथ, प्रकाश को मॉड्यूल के आगे और पीछे दोनों तरफ कैप्चर किया जाता है। प्रकाश का उपयोग बढ़ाने से मॉड्यूल की दक्षता बढ़ जाती है। मॉड्यूल के सक्रिय रियर के माध्यम से 360 Wp तक की कुल शक्ति प्राप्त की जा सकती है (केवल सामने 290 Wp / कुल 320 - 360 Wp)।
दक्षता लाभ विकिरण स्थिति (वातावरण और पृष्ठभूमि) पर निर्भर करता है।
द्विमुखी सौर मॉड्यूल वाला सौर मंडल - उदाहरण
1979 में, सेमीकंडक्टर प्रयोगशाला को सौर ऊर्जा संस्थान (IES-UPM) में बदल दिया गया, जिसके पहले निदेशक के रूप में ल्यूक ने 21वीं सदी के पहले दशक तक, उदाहरण के लिए, 1994 में, द्विभाजित सौर कोशिकाओं पर गहन शोध जारी रखा सौर ऊर्जा संस्थान, एड्रियानो के दो ब्राज़ीलियाई स्नातक छात्रों ने ल्यूक के साथ मिलकर मोएहलेके और इज़ेटे ज़ेनेस्को का विकास और निर्माण किया, जिसमें एक द्विभाजित सौर सेल विकसित किया गया है जिसमें सामने की तरफ 18.1% और पीछे की तरफ 19.1% है। % प्रदर्शन किया गया; 103% का बाइफेशियल रिकॉर्ड (उस समय मोनोफेशियल कोशिकाओं के लिए रिकॉर्ड दक्षता 22% से कम थी)।
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